BUZ30AH3045A
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
BUZ30AH3045A Einzelheiten PDF [English] | BUZ30AH3045A PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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