BSS214NWH6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT323-3-2 |
Serie | OptiMOS™ 2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 143 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.5A (Ta) |
BSS214NWH6327 Einzelheiten PDF [English] | BSS214NWH6327 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
INFINEON SOT23
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
INFINEON SOT-23
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSS214NWH6327Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|