BSP60
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2077+ | $0.14 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 45 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1mA, 1A |
Transistor-Typ | PNP - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4-21 |
Serie | - |
Leistung - max | 1.5 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 2000 @ 500mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1 A |
BSP60 Einzelheiten PDF [English] | BSP60 PDF - EN.pdf |
NXP SOT223
TRANS DARL NPN 1A 80V SOT223
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
ON SOT-223
BSP5316 INFINEON
INFINEON SOT-223
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223
ON SOT223
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSP60Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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