Name: Infineon Technologies BSP324L6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP324L6327
Price: 0.29 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSP324L6327

Artikelnummer:

BSP324L6327

Hersteller / Marke:

Infineon Technologies

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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~~Infineon Technologies BSP324L6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSP324L6327.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.3V @ 94µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-SOT223-4-21
Serie	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25Ohm @ 170mA, 10V
Verlustleistung (max)	1.8W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	400 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	170mA (Ta)
BSP324L6327 Einzelheiten PDF [English]	BSP324L6327 PDF - EN.pdf

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