BSO211P
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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944+ | $0.32 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-DSO-8 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.7A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | BSO211 |
BSO211P Einzelheiten PDF [English] | BSO211P PDF - EN.pdf |
INFINEON SOP8
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO
MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
INFINEON SOP-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSO211PInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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