Name: Infineon Technologies BSF083N03LQG
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSF083N03LQG
Price: 0.42 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSF083N03LQG

Artikelnummer:

BSF083N03LQG

Hersteller / Marke:

Infineon Technologies

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Infineon Technologies BSF083N03LQG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSF083N03LQG.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.2W (Ta), 36W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	3-WDSON
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Ta), 53A (Tc)
BSF083N03LQG Einzelheiten PDF [English]	BSF083N03LQG PDF - EN.pdf

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