BSC240N12NS3G
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-1 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 31A, 10V |
Verlustleistung (max) | 66W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 60 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 37A (Tc) |
INFINEO SON8
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSC240N12NS3GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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