BG5120KE6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3463+ | $0.09 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 5 V |
Spannung - Nennwert | 8 V |
Technologie | MOSFET |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Leistung | - |
Verpackung / Gehäuse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschmaß | 1.1dB |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 30dB |
Frequenz | - |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | 10µA |
Strom - Test | 10 mA |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
BG5120KE6327 Einzelheiten PDF [English] | BG5120KE6327 PDF - EN.pdf |
BG5120K E6327 INFINEON
INF SOT-363
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
BG5412K H6327 INFineon
BG5130RE6327 Infineon
BG5120KH6327 INFINEON
BG5120K INFINEON
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
IGBT Modules
BG5412K E6327 Infineon
BG5130R INFINEON
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
BG5120K H6327 INFINEON
INFINEON SOT363
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
IGBT Modules
BG5412K INFINEON
INFINEON SOT-363
IGBT Modules
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BG5120KE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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