BFR193WE6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-323 |
Serie | - |
Leistung - max | 580mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 10.5dB ~ 16dB |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 30mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80mA |
BFR193WE6327 Einzelheiten PDF [English] | BFR193WE6327 PDF - EN.pdf |
CONN RCPT FMALE 9P SILV SLDR CUP
CONN RCPT MALE 9P SILV SLDR CUP
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
CONN RCPT FMALE 7P SILV SLDR CUP
CONN RCPT MALE 3P SILV SLDR CUP
CONN RCPT MALE 7P SILV SLDR CUP
CONN RCPT MALE 6P SILV SLDR CUP
CONN RCPT MALE 13P SILV SLDR CUP
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Infineon SOT23
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BFR193WE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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