BFR182E6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3209+ | $0.09 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23 |
Serie | - |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 12dB ~ 18dB |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 10mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 35mA |
BFR182E6327 Einzelheiten PDF [English] | BFR182E6327 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BFR182E6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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