BFP740FESDH6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1610+ | $0.19 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 4.2V |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 4-TSFP |
Serie | - |
Leistung - max | 160mW |
Verpackung / Gehäuse | 4-SMD, Flat Leads |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 39dB |
Frequenz - Übergang | 47GHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 160 @ 25mA, 3V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 45mA |
BFP740FESDH6327 Einzelheiten PDF [English] | BFP740FESDH6327 PDF - EN.pdf |
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
BFP760 INFINEON
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343-4
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343
INFINEON SOT343
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BFP740FESDH6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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