BFP640E6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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866+ | $0.35 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 4.5V |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT343-4 |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-82A, SOT-343 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 24dB |
Frequenz - Übergang | 40GHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 110 @ 30mA, 3V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
BFP640E6327 Einzelheiten PDF [English] | BFP640E6327 PDF - EN.pdf |
INFINEON SOT343
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BFP640 E6359 INFINEON
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BFP640E6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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