BFP183WE6327
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT343-4 |
Serie | - |
Leistung - max | 450mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-82A, SOT-343 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 22dB |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 15mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 65mA |
BFP183WE6327 Einzelheiten PDF [English] | BFP183WE6327 PDF - EN.pdf |
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
BFP193E6327 INFINEO
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BFP183W E6327 INFINEO
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RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BFP183WE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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