BCX56E6327
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT89-4-2 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Leistung - max | 2 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-243AA |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 150mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1 A |
BCX56E6327 Einzelheiten PDF [English] | BCX56E6327 PDF - EN.pdf |
DIODES SOT89
DIODES SOT-89
TRANS NPN 80V 1A SOT89
TRANS NPN 80V 1A SOT89
TRANS NPN 80V 1A SOT89
TRANS NPN 80V 1A SOT89-3
TRANS NPN 80V 1A SOT89-3
Infineon SOT-89
TRANS NPN 80V 1A SOT89
TRANS NPN 80V 1A SOT89-3
DIODES SOT89
TRANS NPN 80V 1A SOT89
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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