BCR133WH6327
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT323-3-1 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 250 mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 130 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | BCR133 |
BCR133WH6327 Einzelheiten PDF [English] | BCR133WH6327 PDF - EN.pdf |
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![]() BCR133WH6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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