BCR133TE6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.02 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23-3-11 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 200 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 130 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | BCR133 |
BCR133TE6327 Einzelheiten PDF [English] | BCR133TE6327 PDF - EN.pdf |
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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