BCR129E6327
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23-3-11 |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 200 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 150 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
BCR129E6327 Einzelheiten PDF [English] | BCR129E6327 PDF - EN.pdf |
BCR129F INFINEON
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
INFINEON SOT323SOT-23
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BCR129E6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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