BC858AE6327
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23 |
Serie | - |
Leistung - max | 330 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 125 @ 2mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
BC858AE6327 Einzelheiten PDF [English] | BC858AE6327 PDF - EN.pdf |
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Interface
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
Interface
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BC858AE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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