BC856AE6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.02 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 65 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23-3-1 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Leistung - max | 330 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 125 @ 2mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | BC856 |
BC856AE6327 Einzelheiten PDF [English] | BC856AE6327 PDF - EN.pdf |
BJT, SOT-23, 65V, 100MA, 0
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Interface
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
TRANS PNP 65V 100MA SOT23
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
PNP TRANSISTORS, SOT-23
Interface
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Nexperia SOT23
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BC856AE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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