BC850CE6327
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 45 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23 |
Serie | - |
Leistung - max | 330 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 420 @ 2mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
BC850CE6327 Einzelheiten PDF [English] | BC850CE6327 PDF - EN.pdf |
ON SOT23
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
BC850 - LOW NOISE TRANSISTOR
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
NXP 2014+RoHS
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BC850CE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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