BC847BWE6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.02 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 45 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT323-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 250 mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 2mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
BC847BWE6327 Einzelheiten PDF [English] | BC847BWE6327 PDF - EN.pdf |
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
TRANS NPN 45V 0.1A SC70
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS NPN 45V 0.1A SC70
TRANS NPN 45V 0.1A 6TSSOP
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
TRANS NPN 45V 0.1A 6TSSOP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BC847BWE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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