BAT68E6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Spitzensperr- (max) | 8V |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23-3-1 |
Serie | BAT68 |
Widerstand @ If, F | 10Ohm @ 5mA, 10kHz |
Verlustleistung (max) | 150 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Diodentyp | Schottky - Single |
Strom - Max | 130 mA |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
BAT68E6327 Einzelheiten PDF [English] | BAT68E6327 PDF - EN.pdf |
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3
NXP SOT23
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BAT68E6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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