BLA6G1011LS-200RG,
Ampleon
Deutsch
Artikelnummer: | BLA6G1011LS-200RG, |
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Hersteller / Marke: | Ampleon |
Teil der Beschreibung.: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $281.81 |
20+ | $269.9065 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 28V |
Spannung - Nennwert | 65V |
Transistor-Typ | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | LDMOST |
Serie | - |
Leistung | 200W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | SOT-502C |
Andere Namen | 568-8531 934065673112 BLA6G1011LS-200RG,-ND BLA6G1011LS-200RG,112 BLA6G1011LS-200RG,112-ND BLA6G1011LS200RG112 |
Rauschmaß | - |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 13 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 20dB |
Frequenz | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
Aktuelle Bewertung | 49A |
Strom - Test | 100mA |
Basisteilenummer | BLA6G1011 |
BLA6G1011LS-200RG, Einzelheiten PDF [English] | BLA6G1011LS-200RG, PDF - EN.pdf |
BLA6G1011-200R NXP
POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
BLA6G1011L-200RG NXP
BLA6H0912-500 NXP
MUARATA SMD
MURATA SMD
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLA6H0912L-1000 NXP
POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
BLA6G101L-200RG NXP
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
MURATA 1kreel
BLA6H0912LS-1000 NXP
BLA6G1011LS-200RG NXP
BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS R
NXP 2012+RoHS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BLA6G1011LS-200RG,Ampleon |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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