AS4C32M16SA-7TIN
Alliance Memory, Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | AS4C32M16SA-7TIN |
---|---|
Hersteller / Marke: | Alliance Memory, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 2ns |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 54-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 32M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 143 MHz |
Grundproduktnummer | AS4C2M32 |
Zugriffszeit | 5.4 ns |
AS4C32M16SA-7TIN Einzelheiten PDF [English] | AS4C32M16SA-7TIN PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54BGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AS4C32M16SA-7TINAlliance Memory, Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|