AUIRFR1010Z
International Rectifier
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D-PAK (TO-252AA) |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 42A, 10V |
Verlustleistung (max) | 140W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 42A (Tc) |
AUIRFR1010Z Einzelheiten PDF [English] | AUIRFR1010Z PDF - EN.pdf |
AUTOMOTIVE N CHANNEL
IR TO-247
IR TO-247
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD
IR TO-252
PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM,
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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