AUIRF3808
International Rectifier
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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151+ | $2.00 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 82A, 10V |
Verlustleistung (max) | 330W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5310 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 140A (Tc) |
AUIRF3808 Einzelheiten PDF [English] | AUIRF3808 PDF - EN.pdf |
AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 75A TO220
AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
IR TO-220
IR TO-220
MOSFET N-CH 55V 160A TO262
AUTOMOTIVE N CHANNEL
AUIRF3805 - 55V-60V N-CHANNEL AU
AUTOMOTIVE N CHANNEL
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AUIRF3808International Rectifier |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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