AOB66616L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.42 |
10+ | $2.17 |
100+ | $1.7445 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (D2Pak) |
Serie | AlphaSGT™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 8.3W (Ta), 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2870 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 38.5A (Ta), 140A (Tc) |
Grundproduktnummer | AOB66616 |
IGBT 600V 10A 82.4W TO263
N
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
AO TO-263
N
IGBT 650V 5A TO263
FET N CHANNEL 80V
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
MOSFET N-CH 600V 8A TO263
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
AOS TO-263
N
AOB4S60 AOS
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
AOB7S60 AOS
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
N
MOSFET N-CH 600V 7A TO263
N
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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