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onsemi NVMFS5826NLWFT1G
| Artikelnummer: | NVMFS5826NLWFT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi NVMFS5826NLWFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NVMFS5826NLWFT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta) Grundproduktnummer NVMFS5826 NVMFS5826NLWFT1G Einzelheiten PDF [English] NVMFS5826NLWFT1G PDF - EN.pdf -
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