FQP9N25C
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Anschlüsse, Verbindungen
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi FQP9N25C
| Artikelnummer: | FQP9N25C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi FQP9N25C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP9N25C.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V Verlustleistung (max) 74W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Tc) Grundproduktnummer FQP9 FQP9N25C Einzelheiten PDF [English] FQP9N25C PDF - EN.pdf -
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