FGA25N120ANDTU
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FGA25N120ANDTU |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 40A 310W TO3P |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 60ns/170ns |
Schaltenergie | 4.8mJ (on), 1mJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 350 ns |
Leistung - max | 310 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | NPT |
Gate-Ladung | 200 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40 A |
Grundproduktnummer | FGA25N120 |
FGA25N120ANDTU Einzelheiten PDF [English] | FGA25N120ANDTU PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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