FDB16AN08A0
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB16AN08A0 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.96 |
10+ | $2.655 |
100+ | $2.1336 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 58A, 10V |
Verlustleistung (max) | 135W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1857 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDB16AN08 |
FDB16AN08A0 Einzelheiten PDF [English] | FDB16AN08A0 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
FAIRCHILD TO-263
FAIRCHILD TO-263(D2PAK)
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FAIRCHILD TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB16AN08A0onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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