ECH8308-TL-H
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | ECH8308-TL-H |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.95 |
10+ | $0.837 |
100+ | $0.6418 |
500+ | $0.5073 |
1000+ | $0.4059 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-ECH |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 6 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
Grundproduktnummer | ECH8308 |
ECH8308-TL-H Einzelheiten PDF [English] | ECH8308-TL-H PDF - EN.pdf |
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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