TSM60NB260CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | TSM60NB260CI C0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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4000+ | $4.2905 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | ITO-220AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 3.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 32.1W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1273 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Grundproduktnummer | TSM60 |
TSM60NB260CI C0G Einzelheiten PDF [English] | TSM60NB260CI C0G PDF - EN.pdf |
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