Name: Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5414DC-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3

Artikelnummer:

SI5414DC-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Datenblätte:

1.SI5414DC-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI5414DC-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	1206-8 ChipFET™
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)
Grundproduktnummer	SI5414
SI5414DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI5414DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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