2N5330
Microchip Technology
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $519.09 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 90 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 2mA, 10mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-61 |
Serie | - |
Leistung - max | 140 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Stud Mount |
Frequenz - Übergang | - |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2N5330Microchip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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