2N4001
General Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $24.33 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Transistor-Typ | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-5 |
Serie | - |
Leistung - max | 15 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Frequenz - Übergang | 40MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 2µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1 A |
TRANS PNP 80V 1A TO18
TRANS PNP 80V 1A TO39
TRANS PNP 80V 1A TO39
TRANS PNP 80V 1A TO39
TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6
TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6
TRANS NPN 30V TO-18
TRANS PNP 80V 1A TO-39
TRANS NPN 50V TO18
TRANS PNP 80V 1A TO39
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2N4001General Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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