2N4001
General Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $24.33 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Transistor-Typ | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-5 |
Serie | - |
Leistung - max | 15 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Frequenz - Übergang | 40MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 2µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1 A |
TRANS PNP 80V 1A TO18
TRANS PNP 80V 1A TO39
POWER BJT
POWER BJT
TRANS PNP 80V 1A TO39
TRANS PNP 80V 1A TO39
TRANS PNP 80V 1A TO39
TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6
TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6
TRANS NPN 30V TO-18
TRANS PNP 80V 1A TO-39
TRANS PNP TO39
POWER BJT
NS Can
TRANS NPN 50V TO18
TRANS NPN 30V TO18
TRANS NPN 50V TO-18
TRANS PNP 80V 1A TO39
2024/04/13
2024/06/21
2024/05/23
2024/04/10
2N4001General Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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