2SK3978-TL-E
onsemi
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1210+ | $0.25 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta), 20W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
2SK3978-TL-E Einzelheiten PDF [English] | 2SK3978-TL-E PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2SK3978-TL-Eonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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