Name: Renesas Electronics America Inc 2SK3479-Z-E1-AZ
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: 2SK3479-Z-E1-AZ
Price: 2.0266 USD
Availability: InStock
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Renesas Electronics America Inc 2SK3479-Z-E1-AZ

Artikelnummer:

2SK3479-Z-E1-AZ

Hersteller / Marke:

Renesas Electronics America Inc

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 83A TO-263

Datenblätte:

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~~Renesas Electronics America Inc 2SK3479-Z-E1-AZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 2SK3479-Z-E1-AZ.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263, TO-220SMD
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 42A, 10V
Verlustleistung (max)	1.5W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	83A (Tc)
2SK3479-Z-E1-AZ Einzelheiten PDF [English]	2SK3479-Z-E1-AZ PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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