2SJ603(0)-Z-E1-AZ
Renesas
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263, TO-220SMD |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 13A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta), 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
2SJ603(0)-Z-E1-AZ Einzelheiten PDF [English] | 2SJ603(0)-Z-E1-AZ PDF - EN.pdf |
RENESAS SOT263
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2SJ604-Z-AZ - SWITCHING P-CHANNE
NEC/RENESAS SOT-263
P-CHANNEL POWER MOSFET
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2024/04/10
2024/10/23
2024/04/29
2024/04/14
2SJ603(0)-Z-E1-AZRenesas |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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