2SD734F-AA
onsemi
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
6662+ | $0.05 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 3-NP |
Serie | - |
Leistung - max | 600 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 160 @ 50mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 700 mA |
2SD734F-AA Einzelheiten PDF [English] | 2SD734F-AA PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2SD734F-AAonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|