SI8424DB-T1-E1
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI8424DB-T1-E1 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-Microfoot |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 1A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 4 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12.2A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI8424 |
SI8424DB-T1-E1 Einzelheiten PDF [English] | SI8424DB-T1-E1 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
VISHAY MICROFOOT-4
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
VISHAY BGA
DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
DGTL ISO 2500VRMS 3CH GP 16SOIC
LOW-POWER, SINGLE AND DUAL-CHANN
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
DGTL ISO 2500VRMS 2CH GP 8SOIC
DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
LOW-POWER, SINGLE AND DUAL-CHANN
VISHAY BGA
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
VISHAY QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI8424DB-T1-E1Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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