Name: Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8424DB-T1-E1
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1

Artikelnummer:

SI8424DB-T1-E1

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT

Datenblätte:

1.SI8424DB-T1-E1.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf Material Compliance.pdf SI8424DB.pdf

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI8424DB-T1-E1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±5V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-Microfoot
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	4-XFBGA, CSPBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12.2A (Tc)
Grundproduktnummer	SI8424
SI8424DB-T1-E1 Einzelheiten PDF [English]	SI8424DB-T1-E1 PDF - EN.pdf

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