BZT52B8V2-HE3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B8V2-HE3-08
| Artikelnummer: | BZT52B8V2-HE3-08 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 15000+ | $0.0436 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B8V2-HE3-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZT52B8V2-HE3-08.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 8.2 V Toleranz ±2% Supplier Device-Gehäuse SOD-123 Serie Automotive, AEC-Q101, BZT52 Leistung - max 410 mW Verpackung / Gehäuse SOD-123 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 7 Ohms Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 nA @ 6 V Grundproduktnummer BZT52B8V2 BZT52B8V2-HE3-08 Einzelheiten PDF [English] BZT52B8V2-HE3-08 PDF - EN.pdf -
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