BZD27C33P-HE3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C33P-HE3-18
| Artikelnummer: | BZD27C33P-HE3-18 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 50000+ | $0.1536 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C33P-HE3-18 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZD27C33P-HE3-18.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 33 V Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA Toleranz - Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF) Serie Automotive, AEC-Q101, BZD27C Leistung - max 800 mW Verpackung / Gehäuse DO-219AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 15 Ohms Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 24 V Grundproduktnummer BZD27C33 BZD27C33P-HE3-18 Einzelheiten PDF [English] BZD27C33P-HE3-18 PDF - EN.pdf -
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