Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C33P-HE3-18
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: BZD27C33P-HE3-18
Price: 0.1536 USD
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C33P-HE3-18

Artikelnummer:

BZD27C33P-HE3-18

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

Datenblätte:

1.BZD27C33P-HE3-1.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C33P-HE3-18 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZD27C33P-HE3-18.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Zener (Nom) (Vz)	33 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2 V @ 200 mA
Toleranz	-
Supplier Device-Gehäuse	DO-219AB (SMF)
Serie	Automotive, AEC-Q101, BZD27C
Leistung - max	800 mW
Verpackung / Gehäuse	DO-219AB

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-65°C ~ 175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Impedanz (Max) (Zzt)	15 Ohms
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1 µA @ 24 V
Grundproduktnummer	BZD27C33
BZD27C33P-HE3-18 Einzelheiten PDF [English]	BZD27C33P-HE3-18 PDF - EN.pdf

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