BAV18-TR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | BAV18-TR |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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50000+ | $0.0281 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 100 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-35 (DO-204AH) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 nA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) | 250mA |
Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BAV18 |
BAV18-TR Einzelheiten PDF [English] | BAV18-TR PDF - EN.pdf |
Switching Standard Diode SOT523
BAV170W PANJIT
SOT-23, SWITCHING
DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
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Diodes - Rectifiers - Single SOT
DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
DIODE GEN PURPOSE
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITC
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DO-35, 120V, 0.2A, SWITCHING DIO
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35
2024/04/13
2024/05/10
2024/10/11
2024/08/24
BAV18-TRVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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