HER1007G C0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | HER1007G C0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE ARRAY GP 800V 10A TO220AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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4000+ | $0.3045 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800V |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80ns |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | HER1007G C0G-ND HER1007GC0G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 800V 10A Through Hole TO-220-3 |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 800V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 10A |
HER1007G C0G Einzelheiten PDF [English] | HER1007G C0G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
DIODE ARRAY GP 10A TO220AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
80NS, 10A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE ARRAY GP 800V 10A TO220AB
50NS, 10A, 400V, HIGH EFFICIENT
DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HER1007G C0GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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