STW12N120K5
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Anschlussblöcke-Kontakte(306247)
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
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STMicroelectronics STW12N120K5
| Artikelnummer: | STW12N120K5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
STMicroelectronics STW12N120K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STW12N120K5.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 Serie MDmesh™ K5 Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V Verlustleistung (max) 250W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) Grundproduktnummer STW12 STW12N120K5 Einzelheiten PDF [English] STW12N120K5 PDF - EN.pdf -
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