Name: STMicroelectronics STL3N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL3N65M2
Price: 0.4785 USD
Availability: InStock
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STMicroelectronics STL3N65M2

Artikelnummer:

STL3N65M2

Hersteller / Marke:

STMicroelectronics

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~STMicroelectronics STL3N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STL3N65M2.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	22W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	155 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Tc)
Grundproduktnummer	STL3
STL3N65M2 Einzelheiten PDF [English]	STL3N65M2 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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