STF9HN65M2
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STF9HN65M2 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.23 |
10+ | $1.10 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP |
Serie | MDmesh™ M2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 20W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | STF9 |
STF9HN65M2 Einzelheiten PDF [English] | STF9HN65M2 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
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2024/06/6
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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