Name: STMicroelectronics STF9HN65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF9HN65M2
Price: 1.1 USD
Availability: InStock
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STMicroelectronics STF9HN65M2

Artikelnummer:

STF9HN65M2

Hersteller / Marke:

STMicroelectronics

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP

Datenblätte:

1.STF9HN65M2.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf

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Spezifikationen
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Verpackung

~~STMicroelectronics STF9HN65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STF9HN65M2.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220FP
Serie	MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs	820mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	20W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Paket	Tube
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.5A (Tc)
Grundproduktnummer	STF9
STF9HN65M2 Einzelheiten PDF [English]	STF9HN65M2 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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