STD5N52K3
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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STMicroelectronics STD5N52K3
| Artikelnummer: | STD5N52K3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
STMicroelectronics STD5N52K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STD5N52K3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie SuperMESH3™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Verlustleistung (max) 70W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 525 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc) Grundproduktnummer STD5N52 STD5N52K3 Einzelheiten PDF [English] STD5N52K3 PDF - EN.pdf -
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