STB75N20
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Klemmen-Messer Steckverbinder(3829)
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- Klemmen-Folie Steckverbinder(662)
- Klemmen-Barrel, Bullet-Steckverbinder(5430)
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- Terminal-Streifen und Revolver-Boards(11368)
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- Anschlussblöcke-DIN-Schiene, Kanal(10920)
- Anschlussblöcke-Kontakte(306247)
- Anschlussblöcke-Barrier Blocks(44736)
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- Solid State Lighting Verbinder-Kontakte(2509)
- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Shunts, Jumper(821)
- Rechteckige Verbinder-Feder geladen(8043)
- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
- Rechteckige Verbinder-Kontakte(5477)
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- Rechteckige Verbinder-Adapter(251)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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- Photovoltaik (Solar Panel) Steckverbinder(365)
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STMicroelectronics STB75N20
| Artikelnummer: | STB75N20 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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STMicroelectronics STB75N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STB75N20.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie STripFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 37A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) Grundproduktnummer STB75N STB75N20 Einzelheiten PDF [English] STB75N20 PDF - EN.pdf -
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